复合材料学报

作者：王继华, 柳军旺, 王春锋, 王永亮, 韩志东,

关键词：聚偏氟乙烯, 石墨烯, 钛酸钡, 微电容器, 介电性能,

为有效改善聚合物基复合材料的介电性能，兼顾高介电常数和低填料量同时并存，采用以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体树脂，钛酸钡(BT)和石墨烯(GNP)分别为介电填料和导电填料，在BT-GNP/PVDF复合体系内部构建微电容器结构。采用溶液法和热压法制备GNP/PVDF薄膜和BT-GNP/PVDF复合薄膜。结果表明，BT和GNP填料在BT-GNP/PVDF复合薄膜中能够均匀分散，在薄膜内能形成明显的微电容器结构。陶瓷填料BT的引入，使微电容器结构更有利于提高BT-GNP/PVDF复合薄膜的介电常数。BT含量大于50wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜介电常数均不低于GNP/PVDF薄膜。BT含量为50wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜的介电常数高于BT含量分别为35wt%、60wt%和70wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜，最大值约为43，相当于GNP含量为0.8wt%的GNP/PVDF薄膜的1.5倍；BT含量为50wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜损耗角正切均小于其他体系薄膜，最大不超过0.09，最小约为0.02。BT-GNP/PVDF复合薄膜的电导率变化趋势基本一致，没有明显差异。

来源：2021年第5期

《复合材料学报》期刊编辑部

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