国内刊号:11-1801/TB
国际刊号:1000-3851
发布日期:
作者:周茜, 张瑶, 陈蓉, 沈佳斌, 郭少云,
关键词:聚四氟乙烯, SiO<sub>2</sub>, 硅烷偶联剂, 介电性能, 力学性能,
选用三种具有不同疏水官能团的硅烷偶联剂,即含苯基的偶联剂1(Ph-1)、含氟基的偶联剂2(F-2)和含环氧丙氧基的偶联剂3(GP-3)对SiO<sub>2</sub>进行表面改性,并采用空气辅助干法共混、冷压烧结并车削成膜的方法制备了SiO<sub>2</sub>填充量为35wt%、厚度为50 μm的SiO<sub>2</sub>/聚四氟乙烯(PTFE)复合薄膜。改性后SiO<sub>2</sub>在PTFE中分散均匀。研究了不同含量F-2对SiO<sub>2</sub>/PTFE复合薄膜性能的影响,发现当含氟基的硅烷偶联剂F-2用量(与SiO<sub>2</sub>质量比)为0.3%时,SiO<sub>2</sub>/PTFE复合薄膜的针孔缺陷最少,拉伸强度由9.2 MPa提高至16.2 MPa;在10 GHz下,SiO<sub>2</sub>/PTFE复合薄膜的介电常数由2.475降低至2.416,介电损耗由2.66×10<sup>?3</sup>降低至2.01×10<sup>?3</sup>,SiO<sub>2</sub>/PTFE复合薄膜显示出优异的综合性能。
来源:2020年第9期
《复合材料学报》期刊编辑部