复合材料学报

作者：张宁, 金燕, 周玲玲, 胡宝山,

关键词：三元金属氧化物, 化学气相沉积法, 碳纳米管, 石墨烯, 复合材料, 电容性能,

通过均匀沉淀法合成Ni-Mg-Al三元金属氧化物（TMO），再通过一步化学气相沉积法（CVD）以CH₄为碳源、Ar为保护性气体，在原位还原的Ni上生长碳纳米管（CNTs），在Mg和Al的金属氧化物上生长石墨烯（GR），利用水热法刻蚀掉TMO，制备CNTs/三维石墨烯（3DGR）复合材料。基于CNTs与GR两种组分生长动力学的差异，通过控制Ni、Mg和Al三种金属离子的摩尔比、生长温度、生长时间，调控和优化CNTs/3DGR复合材料的结构及电容性能。借助TEM、SEM、EDS、Raman和XRD对CNTs/3DGR复合材料的结构、形貌、组分进行表征。结果表明，CNTs与GR协同作用为CNTs/3DGR复合材料提供了更多电子运输通道，可大幅提高导电性能，实现电容性能的提升，CNTs/3DGR复合材料的比电容最高可达20 F/g。

来源：2019年第3期

《复合材料学报》期刊编辑部

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