国内刊号：11-1801/TB
国际刊号：1000-3851
发布日期:
作者：朱谷城, 胡波平, 万美茜, 周耐根,
关键词：锡钛酸钡(BTS), Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂, 微观结构, 介电性能, 挠曲电性能,
通过传统固相二次烧结法来制备<em>x</em> wt% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>（<em>x</em>=0、1.0、1.5）/BaTi<sub>0.85</sub>Sn<sub>0.15</sub>O<sub>3</sub>（BTS）陶瓷。研究了掺杂不同含量Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>对BTS陶瓷的微观结构、介电性能及挠曲电性能的影响。结果表明，掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的BTS陶瓷不改变陶瓷的晶体结构，仍为标准钙钛矿结构晶型；Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的掺入能够有效降低晶粒尺寸，具有明显的细晶作用。随着Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>含量的增大，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/BTS陶瓷的介电常数减小，介电损耗得到明显改善，居里峰逐渐宽化且向温度高的方向偏移。Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/BTS陶瓷的挠曲电系数随着Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>含量的增加和测试环境温度的升高均减小。此外，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/BTS陶瓷的挠曲电系数和介电常数之间存在一种近线性关系，但当温度非常接近于居里温度时，这种线性关系减弱。
来源：2018年第3期
《复合材料学报》期刊编辑部