复合材料学报

北大核心,CA,JST,Pж(AJ),EI

国内刊号:11-1801/TB

国际刊号:1000-3851

复合材料学报杂志2017年第11期:纳米SiC纤维改性短切碳纤维增强Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷介电响应及吸波性能

发布日期:

作者:陈文博, 肖鹏, 周伟, 罗衡, 李专, 刘洋, 俞晓宇, 李杨,

关键词:纳米SiC纤维, 改性短切碳纤维, C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>, 介电响应, 吸波性能,

以甲基三氯硅烷为原料,采用催化化学气相沉积(CCVD)工艺在短切碳纤维(C<sub>fd</sub>)表面制备了纳米SiC纤维(nano SiC<sub>f</sub>)改性层,并采用凝胶注模-无压烧结工艺制备了nano SiC<sub>f</sub>-C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合材料。使用矢量网络分析仪研究了nano SiC<sub>f</sub>-C<sub>fd</sub>和C<sub>fd</sub>对Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷在X波段(8.2~12.4 GHz)的介电响应和吸波性能的影响。结果表明:nano SiC<sub>f</sub>-C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合材料的复介电常数和介电损耗角正切值(tan δ)均随纤维添加量增加而增大;相同纤维含量时,nano SiC<sub>f</sub>-C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合材料的介电常数实部比C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合材料有所降低,但损耗角正切升高。反射损耗结果表明:nano SiC<sub>f</sub>-C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合材料拥有更优的电磁波吸收效果。nano SiC<sub>f</sub>-C<sub>fd</sub>含量为2wt%、<i>d</i>=2.5 mm时,出现最大吸收峰-14.95 dB,反射损耗优于-5 dB,波段频宽达3.5 GHz。nano SiC<sub>f</sub>界面改性能有效提高C<sub>fd</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合材料的吸波性能。

来源:2017年第11期

《复合材料学报》期刊编辑部

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