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国内刊号：11-1801/TB
国际刊号：1000-3851
发布日期:
作者：周霞, 宋尚雨,
关键词：SiC/Mg界面, 原子间作用对势, 晶格反演法, 从头计算, 界面势验证,
通过分析SiC和Mg的晶体结构，构造了SiC与Mg的共格晶面。采用Chen-M?bius晶格反演法对SiC/Mg界面的原子对势进行了反演，分别推导了Si和Mg原子、C和Mg原子间作用势与界面结合能关系的解析表达式。在此基础上，从头计算了SiC/Mg界面的结合能曲线，结合反演公式得到了Si和Mg原子、C和Mg原子的对势函数，并对反演过程的自洽性进行了检验。此外，建立了其他6种不同的SiC/Mg界面构型，通过对比反演对势计算的界面结合能与从头计算的结果，对反演所得对势的可转移性进行了验证。结果表明：从头计算的界面结合能可以由反演对势精确地算出，整个反演过程和结果是自洽的，所得原子对势同样适用于其他界面构型，具有良好的可转移性。本文推导的反演公式同样适用于与SiC/Mg界面结构相似的其他界面原子对势的研究。
来源：2017年第8期
《复合材料学报》期刊编辑部
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