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国内刊号：11-1801/TB
国际刊号：1000-3851
发布日期:
作者：江品颐, 刘海华, 黄向东,
关键词：2D CF/SiC复合材料, 液相渗硅, 扩散, 晶粒生长, 溶解-沉淀, 层错,
由液相渗硅工艺（LSI）制得了2D CF/SiC 复合材料，经过XRD分析得知材料中SiC均为β相。经过同质量比的K<sub>3</sub>Fe（CN）<sub>6</sub>与KOH混合水溶液对其进行腐蚀，由SEM观察腐蚀后2D CF/SiC 复合材料的形貌，发现其中SiC呈现细等轴晶和粗大晶粒两种不同的形貌。分析认为LSI工艺制备2D CF/SiC 复合材料中生成的SiC有两种生成机制：Si原子通过空位机制向碳中扩散形成无定型SiC，在保温过程中结晶形成细晶SiC层；C原子扩散进入熔融态硅中形成C—Si基团，由于温度梯度和浓度梯度的存在，在远离C/SiC界面处过饱和析出，通过溶解-沉淀机制形成粗大的SiC晶体，在晶粒的长大过程中伴随着层错的出现。
来源：2017年第7期
《复合材料学报》期刊编辑部
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