国内刊号：11-1801/TB
国际刊号：1000-3851
发布日期:
作者：刘洋, 肖鹏, 周伟, 罗衡, 刘鹏飞, 陈文博, 俞晓宇,
关键词：SiC<sub>W</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>, 复合陶瓷, 力学性能, 常温介电性能, 高温微波性能,
以α-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉、β-SiC<sub>W</sub>为原料，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为烧结助剂，采用凝胶注模工艺制备了SiC<sub>W</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合陶瓷材料，烧结温度为1 650℃，保温1.5 h。研究了SiC<sub>W</sub>加入含量对SiC<sub>W</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合陶瓷的微观结构、力学及常温/高温微波吸收性能的影响。结果表明：随着SiC<sub>W</sub>含量的增加，SiC<sub>W</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都有先増后减的趋势，当含量为10wt%时，抗弯强度达到最大值505 MPa，断裂韧性达9.515 MPa·m<sup>1/2</sup>。常温介电常数在SiC<sub>W</sub>含量为10wt%时，实部达最大值12，在12 GHz最大吸收值为-21 dB。高温介电常数随着SiC<sub>W</sub>含量的增加有先增后减的趋势，在含量为10wt%时，实部达到最大值12.5。相比于纯Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷，当SiC<sub>W</sub>含量为10wt%时，SiC<sub>W</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合陶瓷在11.7 GHz左右最大吸收可达-27 dB，有效吸收频带（小于-5 dB）为11.2~12.3 GHz。
来源：2017年第6期
《复合材料学报》期刊编辑部